| 型号：SI4910DY-T1-E3 | 类别：FET - 阵列 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 描述：MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC | |
详细参数
| 类别 | FET - 阵列 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 40V 7.6A 8-SOIC |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 40V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 7.6A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 27 毫欧 @ 6A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 32nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 855pF @ 20V |
| 功率_最大 | 2W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC N |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳瞄钧科技有限公司 | 张小姐 李小姐0755-82727462 /83794860 |
| 现代芯城（深圳）科技有限公司 | 董0755-82542579 |
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 深圳诚思涵科技有限公司 | 朱先生0755-83015506-23947236 |
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市品德冠科技有限公司 | 朱先生/龙先生/唐小姐／公司可以开１７％的税086-0755-８２７８９２９６ |
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
| 上海金庆电子科技京城市场部 | 陈小姐 付先生086-021-51872165/51872561 |
| 深圳市潮南大宇电子有限公司 | 陈小姐/陈先生0755-23956875\23956877 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
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8-SOIC（0.154＂，3.90mm 宽）
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RES 1/16W 121 OHM 0.1% 0603
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RES 4.42K OHM 1/4W .1% AXIAL
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